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在前幾期的SiC科普小課堂中，我們了解到矽基MOSFET的RDS(on)電阻的主要貢獻者是漂移區電阻，那麼在碳化矽MOSFET的RDS(on)電阻的主要貢獻者中，除了漂移區電阻外，另外一個占比較大的電阻是什麼？影響該電阻值的關鍵參數又有哪些？ 今天的“SiC科普小課堂”中，基本半導體市場部總監魏煒老師將繼續圍繞碳化矽MOSFET的話題，為大家介紹其RDS(on)的構成情況，以及降低該電阻、提高器件性能需要攻克的主要方向。